IPD30N08S2L-21
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Infineon Technologies IPD30N08S2L-21
| Artikelnummer: | IPD30N08S2L-21 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IPD30N08S2L-21 Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies IPD30N08S2L-21 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD30N08S2L-21.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5 mOhm @ 25A, 10V Verlustleistung (max) 136W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) IPD30N08S2L-21 Einzelheiten PDF [English] IPD30N08S2L-21 PDF - EN.pdf -
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